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SiC/Kick-out diffusion of Al in 4H-SiC: an ab initio study.md

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+# ABSTRACT
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+在常温下，Al 在 SiC 中很难扩散；但当温度上升后，Al 的扩散剧烈增加。
+Al 扩散通常会借助一些点缺陷，例如空位和间隙位缺陷。
+我们计算比较了借助 C 空位和 Si 间隙的 Al 的激活能，发现 Al 是这样扩散的：间隙 Si 将 Al 踢出来，然后位于间隙的 Al 扩散到别的地方。
+我们计算了扩散率并且和实验比较了。
+
+# INTRODUCTION
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+很多其它原子在 SiC 中的扩散已经被研究过了，还缺 Al。
+TODO: 看看研究了个啥。
+在 1200 到 1800 度退火的过程中，Al 在 500 nm 到几微米的范围内扩散。
+Al 在表面和内部的扩散速率也不同，同时也会随着掺杂浓度的变化而变化。
+
+Al 的扩散分为两步，第一步是从替位移动到间隙位，需要的能量称为 formation energy；
+  第二步是从间隙位扩散到别的地方，需要跨越一个能垒，称为 migration barrier。
+两者之和称为 activation energy。
+Al 扩散的 activation energy 不同的估计不同，大约为 6 到 8 eV。
+在 SiC 中，可能出现两个 C 原子挤在一起（占据同一个 C 位）的情况，这种缺陷称为 carbon split interstitial。
+一些杂质原子是通过这种缺陷扩散的。
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+# COMPUTATIONAL METHODS
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+## First-principles calculations
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+## Defect-formation calculations
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+这里作者定义的化学势与我们的不同。它被定义为去掉单质形成能之后的那个部分。
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+## Migration barrier calculations
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+Al 原子的迁移路径是使用 Cl-NEB 方法计算的。
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+关于原子迁移

SiC/Selective Doping in Silicon Carbide Power Devices.md

@@ -52,6 +52,36 @@ TODO: 退火发生在哪一步？是外延中掺杂之后也需要退火，还
 
 # Surface Roughness of SiC Implanted Layers
 
-高温会导致表面退化。
+高温会导致表面变坏。超过 1000 度的退火会导致表面 Si 解吸附，以及形成台阶聚集。
+在退火时在 SiH4 气氛中或者额外加入 Si 可以缓解这个问题。
 
+带掺杂的情况下，台阶聚集会更严重。一般认为是因为掺杂过程中产生的表面缺陷导致的台阶聚集，同时也无法通过 Si 过压来解决。
+一般会通过增加一个 C 覆盖层（capping layer）来缓解。
+
+在器件中，可以认为表面粗糙导致的是载流子散射而不是载流子陷阱。
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+# Effects of Selective Implantation Doping on Relevant SiC Devices Parameters
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+这节讲了各个位置的掺杂浓度对器件各个方面的性能的影响。
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+# Non-Conventional Annealing and Doping Methods
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+## Laser, Microwave and Plasma Annealing Technniques
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+使用激光退火，快速加热一个地方再快速冷却。有团队使用激光退火，获得了 P 和 Al 掺杂的无应力晶格。
+
+此外还可以用微波退火，同样是升温非常迅速。
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+也可以使用热等离子注入。SiC 被预先加热，然后使用直径几毫米的等离子束加热，等离子束的能量密度可以达到几十 kW/cm^2。
+用这种方法不仅可以快速升温，而且可以精确控制升温的速度。
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+## Laser Irradiation Doping of SiC Immersed in a Liquid Containing Dopant Species
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+可以将 SiC 浸泡在溶液里，然后使用激光束来掺杂。这样得到的掺杂层比较浅。
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+## Other p-Type Doping Methods Based on Al Melting
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+也可以在 SiC 上先长一层 Al，然后激光将 Al 熔化来掺杂。这样可以在特定部位掺杂（将 Al 生长到特定部位就可以）。
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+TODO: SiC 器件的尺寸大概是多大？