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2d4c052257
@ -1,6 +1,6 @@
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# abstract
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顺磁缺陷和核自旋是点缺陷量子比特磁场相关自旋弛豫的主要来源。
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顺磁缺陷(带自旋的电子能级)和核自旋是点缺陷量子比特磁场相关自旋弛豫的主要来源。
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相关光信号的探测已经导致了高空间分辨率的弛豫测量的发展。
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在这之中,SiC 的近简并四重基态的 Si 空位量子比特引起了特别的兴趣。
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因为它有在几乎零磁场下相当小的自旋弛豫速率,并且在生物组织的第一近红外窗口中发射。
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本文中,我们展现了与磁场和 spin-bath-dependent 弛豫时间 $T_1$ 的详尽的理论研究,
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表名 SiC 中的 Si 空位量子比特有潜力作为无微波的低磁场磁力计。
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TODO: spin-bath 是什么东西?
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翻译:
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关于点缺陷量子比特、磁场、自旋相关的东西主要有两个方面,一个是原子核的自旋,一个是电子的自旋。
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SiC 的 Si 空位有近简并的四重基态,它有一些独特的性质,
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包括在不需要外加磁场的情况下较长的自旋弛豫时间,以及发射的微波在生物组织的第一近红外窗口中。
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但这个弛豫的过程还没有被完全探索。
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这篇文章讨论了相关机理,并且定量讨论了影响自旋弛豫时间的因素(包括磁场和自旋浴)。
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通过这些研究,我们发现 SiC 中的 Si 空位可以作为低磁场磁力计。
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# INTRODUCTION
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由于鲁棒性、敏感性和多功能性,点缺陷量子比特在量子传感方面有广泛的潜在应用。
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许多方面的多学科交叉应用,对这些器件提出了新的要求。
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一直在寻找可以满足这些要求的理想的点缺陷。
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金刚石中的 NV 是一个很好的选择,最近有用它来做高温、无微波的传感。
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然而它需要足够大的磁场来产生足够大的 ZFS。
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磁场可能会影响样品并影响测量,所以最好不要需要外加磁场。
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其它点缺陷没有被探索用于基于自旋的传感。
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其中,SiC 中的 Si 空位因为有小的 ZFS 和四重态的近简并,在低磁场下有应用前景。
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对于这些应用,需要详细地理解弛豫的过程。
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