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# Abstract
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SiC 掺杂一般使用离子注入的方法，在那之后需要高温退火（超过 1500 摄氏度）来电激活，因此会对结构有影响。
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# Introduction
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SiC 离子注入掺杂相关的效应包括 crystal damage，amorphization and recrystallization，doping，annealing，contact formation 等。
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也有非离子注入掺杂的方法，包括 alternative annealing techniques，laser activation processes in specific environments，
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high-temperature annealing of metal films based on p-type dopant species 等。
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# Background on Selective Doping in SiC Power Devices
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一般使用 Al 作 p 掺杂，P 和 N 作 n 掺杂。它们作为替位杂质时有电活性，其中 N 替 C 位，P 和 Al 替 Si 位。
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杂质的电离能与替位的位置（六角还是立方）有关，N 和 P 的电离能较低，电离率较高（50% 到 100%），
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而 Al 的电离能较高（200 到 250 meV），电离率较低（5% 到 30%）。
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电离能与浓度有关，一个经验公式是：
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E_{\text{A}} = E_0 - \alpha N^{1/3}
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其中 $\alpha$ 的值通常是 2 到 4 $\times 10^{-5}$ meV cm。
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在 Si 中，使用离子注入和离子扩散的方法都可以掺杂；但在 SiC 中，离子迁移非常困难，因此只能使用离子注入的方法。
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# n-Type and p-Type Ion-Implantation Doping of SiC
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TODO: 退火发生在哪一步？是外延中掺杂之后也需要退火，还是只有离子注入后才需要退火？
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常温离子注入会引入过多缺陷，因此一般使用高温离子注入，使得产生的缺陷能够动态地修复。
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离子注入后的退火一般也需要高温（超过 1500 摄氏度），它除了激活离子、将缺陷移动到替位、修复一些缺陷。
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低温下，离子注入的浓度有极限，高的离子浓度需要高温下的离子注入。
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