11 lines
544 B
Markdown
11 lines
544 B
Markdown
|
# MD simulation study on defect evolution and doping efficiency of p-type doping of 3C-SiC by Al ion implantation with subsequent annealing
|
||
|
|
||
|
## Abstract
|
||
|
|
||
|
electronic stopping power 是什么?
|
||
|
|
||
|
本研究展示了表面下方重结晶的过程,这个过程从非晶-晶态的界面到破坏的核心区域。
|
||
|
重结晶的过程中,有明显的应力聚集,并在破坏较多和晶体的界面处有相转换和缺陷。
|
||
|
另外,在掺杂较少的情况下,掺杂导致的缺陷更多。
|
||
|
同时,高温退火也容易导致 C 空位。
|