# MD simulation study on defect evolution and doping efficiency of p-type doping of 3C-SiC by Al ion implantation with subsequent annealing

## Abstract

electronic stopping power 是什么？

本研究展示了表面下方重结晶的过程，这个过程从非晶-晶态的界面到破坏的核心区域。
重结晶的过程中，有明显的应力聚集，并在破坏较多和晶体的界面处有相转换和缺陷。
另外，在掺杂较少的情况下，掺杂导致的缺陷更多。
同时，高温退火也容易导致 C 空位。