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== 4H-SiC wafer details
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外延片的厚度、掺杂浓度、生长 C/Si 比，斜切角度。
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5 个 6 寸的 p 型外延片被使用，我们将它们称为 W#sub[i]。
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使用的衬底都是 n 型，前四个外延片的厚度为 1 微米，第五个外延片的厚度为 2 微米。
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外延层的 Al 掺杂浓度分别为 0.1 3.8 5.1 6.4 10 E18 cm#super[-3]，使用 SIMS 测试。
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生长时 Si/C 比分别为 0.7 1.2 1.6 2.4 2.0。、
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所有外延片都有 4 度斜切。
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Five 6-inch p-type epitaxial wafers (W#sub[1]–W#sub[5]) were fabricated on n-type substrates
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using the step-flow growth method with a 4° offcut angle.
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The Al doping concentrations, determined by SIMS,
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were 0.1, 3.8, 5.1, 6.4, and 10 #sym.times 10 cm#super[-3] for W#sub[1]–W#sub[5], respectively.
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The W#sub[1]–W#sub[4] had an epitaxial layer thickness of 1 μm, while W#sub[5] had a thickness of 2 μm.
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The Si/C ratios during growth were 0.7, 1.2, 1.6, 2.4, and 2.0 for the five wafers, respectively.
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坐标轴的定义
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坐标轴的定义需要仔细考量才能使计算与实验结果对应。
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4H-SiC 存在三个互相之间夹角为 60 度的镜面（mirror plane），同时还存在三个互相之间夹角为 60 度的滑移面（glide plane）。
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我们定义某一个滑移面与基平面的交线为 x 轴，与此滑移面相垂直的镜面与基平面的交线为 y 轴。
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同时，我们定义沿 x 方向为晶格的 a 轴（即 a 轴在一个滑移面内）。
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此定义与实验中常用的定义一致，包括晶圆的切边沿 xxx 方向（即 xx 轴）、台阶流外延过程中台阶生长的方向为 xxx （即 xx 轴），台阶边沿 沿 y 方向（即 yy 轴）。
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此定义也与 material projects 数据库以及一些文献中的定义一致。
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然而，此定义与其它一些文献中的定义不同，尤其是与群论中的定义不一致；本文中引用结论时，会将它们的定义转换为本文的定义。
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#include "fig-axis.typ"
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