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title: "4H-SiC中声子研究",
author: "Haonan Chen",
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= 研究目的、背景
== 为什么选这个柿子捏(我们有什么优势)
- 拉曼实验:亲自实验,可以细致地进行一些非常规的实验。
- 原理:有基础,用群表示论来解释拉曼可见性/强弱。
- 第一性原理计算:有基础,声子能带反折叠/缺陷的性质。
- 前人的研究:坑还没有被填完。
== 研究目的名义上introduction
- 4H-SiC 性能很好、器件应用广泛,因此需要开发原位的、非破坏性的表征技术。
- 拉曼主要体现声子的信息,并且早已经有应用,主要用来区分 SiC 的多型。
- 拉曼谱中有更多信息。有一些新的研究,但他们还有不足。
== 论文标题(暂定)
通过拉曼散射研究4H-SiC中声子与载流子和缺陷的影响
= 研究方法与约定
== 坐标轴定义
对于拉曼张量4H-SiC在面内并不总是各向同性的。因此需要仔细定义坐标轴。
- 对于由原子结构决定的一阶、二阶张量,面内没有各向异性;
但拉曼张量还与原子振动方向有关(三阶张量),原子在面内振动时,拉曼张量在面内就可能是各向异性的。
- 我们的定义与大部分文献一致。
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== 样品
- 掺Al外延片 5 个:
- 前四个外延片的厚度为 1 微米,第五个外延片的厚度为 2 微米。
- 外延层的 Al 掺杂浓度分别为 0.1 3.8 5.1 6.4 10 E18 cm#super[-3]
- 生长时 Si/C 比分别为 0.7 1.2 1.6 2.4 2.0。
== 拉曼实验中的激光入射
- 我们考虑三个入射方向:正入射、略入射和肩入射。
- 由于斜切和汇聚角,正入射并不完全是“正”的。
- 由于SiC的折射率较大导致略入射中起作用的散射角只有大约 25#sym.degree。
- 由于对焦困难,略入射的情况下,光谱精细度远远不如其它两种情况(尽管已将积分时间大大延长)。
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)