test-typst/section/introduction.typ

@@ -1,5 +1,10 @@
-// SiC 是很好的材料。
+4H-SiC 是一种具有优良性质的半导体材料，包括宽禁带、高临界电场强度、高热导率和沿 c 轴的高电子迁移率，因此受到了广泛的研究。
-// 其中，4H-SiC 是SiC的一种多型，它的性质更好，近年来随着外延工艺的成熟而获得了更多的关注。
+受益于外延技术的发展和新能源产业的需求增长，4H-SiC 在功率电子器件中得到了广泛应用。
+然而，4H-SiC 器件的性能仍然受到缺陷的限制，如何在生长和工作条件下避免缺陷的产生仍然是一个挑战。
+此外，用于表征 SiC 掺杂的方案（如二次离子质谱（SIMS）和霍尔效应测量）通常是破坏性的且耗时，因此迫切需要开发原位和非破坏性的表征技术。
+
+// 随着尺寸缩小，4H-SiC 中的缺陷对器件性能的影响更加显著。（纳米材料？
+
 The 4H-silicon carbide (SiC) has long attracted a lot of research
   thanks to its wider bandgap, higher critical electric field strength,
   higher thermal conductivity, and higher electron mobility along the c-axis
@@ -20,9 +25,11 @@ Furthermore,
   are destructive and time-consuming.
 Therefore, there is a pressing need to develop an in-situ and non-destructive characterization techniques.
 
-// 声子（量子化的原子振动）在理解晶体的原子结构以及热电性质方面起着重要作用。
+声子（量子化的原子振动）在理解晶体的原子结构以及热电性质方面起着重要作用。
-// 声子可以通过多种实验技术来探测，包括 EELS、IR 吸收谱等。
+声子可以通过多种实验技术来探测，包括 EELS、IR 吸收谱等。
-// 拉曼光谱是最常用的方法，它提供了一种无损、非接触、快速和局部的声子测量方法，已被广泛用于确定晶体的原子结构（包括区分 SiC 的多型）。
+拉曼光谱是最常用的方法，它提供了一种无损、非接触、快速和局部的声子测量方法。
+早有关于拉曼的研究，且拉曼已被广泛用于区分 SiC 的多型。
+
 Phonons (quantized atomic vibrations) play a fundamental role
   in understanding the atomic structure as well as the thermal and electrical properties of semiconductors.
 They could be probed by various experimental techniques,
@@ -37,18 +44,20 @@ Studies in Raman scattering of 4H-SiC have been conducted since as early as 1968
   and nowadays have been widely employed to identification of different SiC polytypes
   @guo_characterization_2012 @yan_study_2016 @hundhausen_characterization_2008 @nakashima_raman_2013.
 
-// 近年来，更多信息被从拉曼光谱中挖掘出来。
+近年来，更多信息被从拉曼光谱中挖掘出来。
-// LOPC 已经被用于快速估计 n 型 SiC 的掺杂浓度。
+LO 声子峰或 LOPC 峰已经被证明与自由载流子的类型和浓度有关，它们已经被用于估计离子注入层的厚度和 n 型 SiC 的掺杂浓度。
-// 层错的拉曼光谱也已经被研究，可以被用于检测特定结构层错的存在和位置。
+部分层错的拉曼光谱也已经被研究，可以被用于检测特定结构层错的存在和位置。
-// 掺杂对拉曼光谱的潜在影响也已经被研究。
+也有一些研究探讨了掺杂对拉曼光谱的影响。 // TODO: 具体是什么影响？
-// 然而，拉曼光谱上仍有一些不知来源的峰；同时，一些也缺少一些理论上预测应该存在的峰。
+然而，拉曼光谱上仍有一些不知来源的峰；同时，也缺少一些理论上预测应该存在的峰。
-// 此外，预测掺杂导致的新峰也没有说明原因。
+此外，预测掺杂导致的新峰也没有说明原因。
+
 In recent years, increasingly rich information has been extracted from Raman spectra of 4H-SiC.
 Longitudinal optical phonon–plasmon coupling (LOPC) peek
-  has been utilized to rapidly estimate the doping concentration in n-type SiC,
+  has been utilized to rapidly estimate to identify doping type in different layers
-  // TODO: 增加使用 LOPC 估计 n 型掺杂浓度的论文
+  // depth profiling xxx
-  and the existence of LO peek have been used to different the focus in p-type epilayer and in n-type substrate.
+  and the doping concentration in n-type SiC.
-  // TODO: LOPC 来区分外延层和衬底的文献
+  // Raman scattering from anisotropic LO-phonon-plasmo
+  
 Peeks associated with some stacking faults have also been investigated
   and used to detect the presence and location of specific structural faults.
   // TODO: 缺陷峰，并补充对应的文献