chn/SiC-2nd-paper
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This reverts commit 353a0cf37338b6bfd8ab62e35404b638af83aaef.
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陈浩南
2025-05-26 19:28:07 +08:00
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commit 9ee2384929
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paper/草稿.md
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@@ -95,9 +95,6 @@ Si-C 键为极性键，Si 可以视为正电荷中心、C 为负电荷中心；
| $\mathrm{E_2}$ | 22.69 | 756.25 | 776.3 | 88.70/88.54/0/0 | | $\mathrm{E_2}$ | 22.69 | 756.25 | 776.3 | 88.70/88.54/0/0 |
| $\mathrm{A_1}$ | 24.39 | 812.87 | 839 | 0.01/0/0/1.78 | | $\mathrm{A_1}$ | 24.39 | 812.87 | 839 | 0.01/0/0/1.78 |
我们将计算结果与实验结果比较，它们之间的差别并不大。
我们可以看到，计算与实验的误差大约为2-3%。因此，在之后的内容中，我们将不比较 我们可以看到，计算与实验的误差大约为2-3%。因此，在之后的内容中，我们将不比较
* 计算了**无缺陷/掺杂 4H-SiC 声子**信息，并与实验对照。本小节，我们先不管缺陷、掺杂、载流子等等，只考虑完美的 4H-SiC 中原子如何振动、对应的拉曼光谱长什么样子。 * 计算了**无缺陷/掺杂 4H-SiC 声子**信息，并与实验对照。本小节，我们先不管缺陷、掺杂、载流子等等，只考虑完美的 4H-SiC 中原子如何振动、对应的拉曼光谱长什么样子。