From 9ee23849293a44ae05f824f02b77d3829bf92beb Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: chn <chn@chn.moe>
Date: Mon, 26 May 2025 19:28:07 +0800
Subject: [PATCH] Revert ""

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 paper/草稿.md | 3 ---
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@@ -95,9 +95,6 @@ Si-C 键为极性键，Si 可以视为正电荷中心、C 为负电荷中心；
 | $\mathrm{E_2}$ |    22.69    |              756.25              |              776.3               |     88.70/88.54/0/0     |
 | $\mathrm{A_1}$ |    24.39    |              812.87              |               839                |      0.01/0/0/1.78      |
 
-我们将计算结果与实验结果比较，它们之间的差别并不大。
-
-
 我们可以看到，计算与实验的误差大约为2-3%。因此，在之后的内容中，我们将不比较
 
 * 计算了**无缺陷/掺杂 4H-SiC 声子**信息，并与实验对照。本小节，我们先不管缺陷、掺杂、载流子等等，只考虑完美的 4H-SiC 中原子如何振动、对应的拉曼光谱长什么样子。