画图/入射角度与偏移

paper/result/perfect/default.typ

@@ -118,3 +118,4 @@ E1 的情况。
 // 在 n 型半导体中，LOPC 模式将代替 LO 模式；在 p 型半导体中，LO 模式仍然单独存在，但它的半高宽会受到载流子浓度的影响。
 
 #include "table-pol.typ"
+#include "figure-rev.typ"

paper/result/perfect/figure-rev.typ

@@ -0,0 +1,8 @@
+#figure(
+  image("/画图/入射角度与偏移/embed.svg"),
+  caption: [
+    Phonon modes and corresponding Raman spectra of 4H-SiC.
+    (a)-(b) Raman spectra with (a) normal and (b) edge incidence configurations.
+  ],
+  placement: none
+)<figure-rev>