TODO.md

@@ -1,9 +1,13 @@
 * [ ] 文本
   * [ ] method
     * [ ] 无缺陷和缺陷的模型大小、缺陷结构
-    * [ ] 第一性原理计算和声子计算的工具
-      * [ ] 中文
+      * [x] 中文
       * [ ] 英文
+      * [ ] 填充数据和引用
+    * [ ] 第一性原理计算和声子计算的工具
+      * [x] 中文
+      * [ ] 英文
+      * [ ] 填充数据和引用
 * [ ] 实验
   * [ ] 实验
     * [ ] 测试不同片子的背面 LOPC，确认它们的掺杂是否相同

paper/method/default.typ

@@ -1,6 +1,6 @@
 = Method
 
-== Experiment details
+== 4H-SiC wafer details and Raman experiments setup
 
 外延片的厚度、掺杂浓度、生长 C/Si 比，斜切角度。
 
@@ -55,12 +55,33 @@ Three types of models were established: defect-free models, point defect models,
 因此对于无缺陷和点缺陷的模型，我们使用 xxA x xxA x xxA 的模型大小。
 对于面缺陷，一个更大的 xxA x xxA x xxA 的模型被使用。
 
-对于点缺陷模型，我们考虑了以下这些
+The three types of models were established with different sizes.
+We first utilized both xxx and xxx models to 
+
+点缺陷模型考虑了哪些结构
+
+对于点缺陷模型，我们考虑了 Si 空位、C 空位、N 替位、Al 替位。
+分别记为 V#sub[Si]、V#sub[C]、N#sub[Si] 和 Al#sub[C]。
+考虑到 SiC 的对称性 p63mc （引用），有两个不同的位点，记为 k 和 h，
+  根据局部环境近似为立方（k）还是六角（h）。
+此外，还有人提出，N 替换 C、C 替换 Si 的模型（引用），
+  此结构除了 h 位与 k 位的区别以外，还需要考虑发生替换的两个原子位于面内还是面外（将会导致对称性的不同）。
+
+（图：a k 位与 h 位对比 b 面内与面外对比）
+
+面缺陷模型考虑了哪些结构
+
+对于面缺陷模型，我们主要考虑了三类 BPD（引用自己的文章），这些缺陷在室温下被认为是可以稳定存在的。
+对于每类BPD，我们考虑两个模型，一个将两个 PD 包括在内，为了模拟 PBD 未分解或分解后边缘处的信号；
+另一类则仅仅包含一个贯穿的层错，为了模拟 BPD 分解后在层错处的信号。
 
 计算工具和参数
 
-第一性原理计算使用 VASP，使用 PBE PAW，平面波截断能，K 点网格，涂抹，自洽和弛豫的 threshold。
-声子计算使用 phonopy phono3py ufo，BEC 修正的算法。
+第一性原理计算使用 VASP，使用 PBE PAW，平面波截断能在弛豫时使用 xx，在计算声子时提高到 xx。
+K 点网格根据模型大小不同，分别使用 xxx 和 xxx。
+涂抹使用 xxx 以统一比较点缺陷和无缺陷的模型。
+弛豫的精度为 xxx。
+声子计算使用 phonopy phono3py ufo，BEC 修正使用 xxx 的算法。（引用）
 
 First-principles calculations were performed using Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP) @kresse_efficiency_1996.
 The Perdew–Burke–Ernzerhof (PBE) exchange energy @ernzerhof_assessment_1999