# Gas-Phase Modeling of Chlorine-Based Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide

这篇文章计算了 SiC CVD 过程中气相的组成（带 Cl）。算是开创计算方法的一个文章。
在计算时，考虑的因素有：前驱体的类型，温度，Cl/Si 比，前驱体的聚集度（这是什么？）。

这篇文章也不是讲方法的，而是用商业软件（叫做 CFD-ACE+）来计算的。卒。