# Anisotropic deformation of 4H-SiC wafers  insights from nanoindentation tests

## Abstract

4H-SiC 的形变与与 BPD 的滑动有关，尤其与 Si 核的滑动有关，而 Si 面的 Si 核更容易滑动，因此 C 面更软、断裂韧性更低。

另外，1-100 面的硬度比 11-20 方向的硬度高，且 1-100 面的断裂韧性更低，因为在平行于最密堆积面上的滑行更容易。

## Introduction

切磨抛的过程会显著增加 SiC 中的缺陷。
磨抛的过程中，C 面被去掉的更多，粗糙度更低，这表明两个面的分解机理不同。
另外，沿着 11-20 方向去掉的更多。

通过组合纳米压印和 TEM，发现 BPD 的形成和滑移主导了塑性形变。
断裂的形成和传播对脆性形变有贡献（由断裂粗糙来表征）。
23 nm 时会出现塑性形变，91.7 nm 时会出现脆性形变。

TODO: 形变的分类？

## Experimental methods

## Results and discussion

TODO: pop-in 是什么？是不是就是压进去了？

测了拉曼谱。

TODO: 拉曼的 FTA FTO FLO mode 都是什么？

FTA 在压印后有展宽，并且 Si 面展宽更大，因此认为 Si 面的缺陷更多；同理沿着 11-20 方向的展宽更多。

FTO 和 FTA 的相对变化通常被用来表征是否发生了相变。按这个判据，没有相变发生。

按照一个公式，根据实验中得到的裂缝的长度，计算断裂韧性。

## Conclusions