# Step-Controlled Epitaxial Growth of High-Quality SiC Layers

这里提到两篇可能重要的文章：
* 29 和 30 分析了空中的团簇的组成。
* 31 提到，当输入的 C/Si 比为 2 时，有效的 C/Si 比要高得多，大约为 100。
* 39 提到一个岛状生长和台阶流外延的转换点的计算方法。(BCF)
* 62 提到重掺 Al 在 C 面长不好的一个原因：三甲基铝中的 C 会导致 C 变多，导致表面迁移被抑制。