diff --git a/拉曼/Raman analysis of defects in n-type 4H-SiC.pdf b/拉曼/Raman analysis of defects in n-type 4H-SiC.pdf
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@@ -1,3 +0,0 @@
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index 216440b..0a496de 100644
--- a/第二个论文/新分类/README.typ
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@@ -140,3 +140,20 @@
   6H 中也会出现一些峰。
 - 10: 拉曼中，线宽与寿命成反比。
 - 19: 基态能谷分裂能够促进电离。
+
+= Raman analysis of defects in n-type 4H-SiC
+
+这篇文章在不同的三个位置（没有缺陷的地方和两个缺陷附近）测试了拉曼光谱。
+它指出了五个 N 峰。
+395 可能（may be）是局域模，526 和 572 与 k 位谷分裂有关，635 与深能级缺陷有关。57 处还有一个 h 位的谷分裂。
+此外，还测试了二阶拉曼，发现六边形缺陷会影响两个二阶拉曼的峰（来源于影响了 M 点和 K 点的声子），
+  但如何影响的还未知。
+
+== 引用
+
+- 8: 6H-SiC 的 LOPC。
+- 9-11: N 峰。尤其是 11。
+- 18: 拟合 LOPC 的公式（m-CDF）。
+- 20: Kirczenow’s shell model，用来解释非直接带隙半导体中，杂质键的激发。
+- 21: 635 峰与深能级缺陷有关。
+- 2,5: 缺陷影响 SiC 性能。
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@@ -0,0 +1,3 @@
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