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quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md

@@ -71,11 +71,13 @@ EPR 实验在室温的暗室中进行。
 我们进一步研究了模型一。
 我们认为，通过 ENDOR 观测到的 Si 在 1.3-2.2 MHz 的超精细结构可以由单个 Si 空位来解释而不需要引入 C 空位。
 我们研究了 Si 空位与至多 7.8 A 距离的 Si-29 和 C-13 之间的相互作用导致的超精细结构。
-具体的一些数据也与实验对得上。
+我们发现，对于 4H 中的两种 Si 空位，都有几个 MHz 的超精细分裂。
+具体来说，距离 Si 空位 6.1 A 的地方，有 Az = -1.3 到 -2.1 MHz 的超精细结构。
+在距离 Si 空位 5 A 的 k 位点，有 Az = -5.1 MHz 的结果。
 
 # 第八段
 
-
+图 3 展示了 4H 的高分辨率 EPR，在 292 K 下测量，B 平行于 c。
 
 
 # 剩余的问题

quantum information/Low-Field Microwave-Free Magnetometry Using the Dipolar Spin Relaxation of Quartet Spin States in Silicon Carbide.md

@@ -0,0 +1 @@
+