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SiC/4H-Silicon Carbide as an Acoustic Material for MEMS.md

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+# Abstract
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+4H-SiC 因为面内各向同性以及较小的声子散射，比较适合用于 MEMS 的声表面波器件。本文讨论了以下三个方面的内容：
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+* 4H-SiCOI 的使用和制备
+* 4H-SiC 谐振腔的温度依赖性
+* 4H-SiC MEMS 的制造
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+# INTRODUCTION
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