diff --git a/.gitattributes b/.gitattributes index bd6165f..2e049a7 100644 --- a/.gitattributes +++ b/.gitattributes @@ -2,3 +2,4 @@ *.png filter=lfs diff=lfs merge=lfs -text *.epub filter=lfs diff=lfs merge=lfs -text *.djvu filter=lfs diff=lfs merge=lfs -text +*.okular filter=lfs diff=lfs merge=lfs -text diff --git a/第二个论文/新分类/README.typ b/第二个论文/新分类/README.typ index 0a496de..1d21b88 100644 --- a/第二个论文/新分类/README.typ +++ b/第二个论文/新分类/README.typ @@ -1,6 +1,13 @@ #set text(font: ("Times New Roman", "Source Han Serif SC")) -= 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究 += 关键信息 + +- 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究：LOPC与载流子浓度有关，可以使用紫外拉曼增加载流子浓度以增强LOPC。 + + += 论文们 + +== 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究 - 这是一个毕业论文。 - 无损检测载流子的方法，有电容电压法、霍尔效应法、SIMS。 @@ -8,14 +15,14 @@ 另一类则是弱声子模式（我们的弱极性模式），分为轴向模和平面模。 - 使用紫外拉曼，可以在低掺杂的情况下增加载流子浓度，从而产生 LOPC 峰。 -== 引用 +=== 引用 - 47-48: LOPC 的原理的细节。在简并半导体中，电荷密度的频率大约为 50 THz，与 LO 频率接近。金属中电子频率要更高，因此不会耦合。 - 57-58: LOPC 本应该有两个分支，另一个由于展宽而不可见。 - 45,57,60,64-66: 在一定浓度范围内（2e16-1e17），LOPC 峰位与掺杂浓度的关系是线性的；浓度升高，就有其它的因素参与，同时出现不对称性。 - 67,71-74: 使用 FTA 模式（200 附近的一对 E2）的不对称性和两个峰的相对高度，也可以估计掺杂浓度。 -= Spectroscopic analysis of electrical properties in polar semiconductors with over-damped plasmons +== Spectroscopic analysis of electrical properties in polar semiconductors with over-damped plasmons 这篇论文提出了一个新的模型来估计介电函数，进而给出一个新的 LOPC 及红外吸收谱的拟合式子。 这个介电函数在一些细节处比之前拟合的更好（但并不是决定性地好）； @@ -30,7 +37,7 @@ 使用 m-CDF 对 LOPC 在高浓度下的拟合更好，在低浓度下差不多；同时，拟合结果中，m-CDF 的 LO 阻尼比 CDF 要小很多。 在红外的拟合中，必须使用 m-CDF 才能同时拟合好 TO 和 LO 附近的光谱。 -== 基础知识（无引用） +=== 基础知识（无引用） - 在 SiC 中，等离子是过阻尼的（$omega_#text[p] < gamma$）。 - 等离子的频率与掺杂浓度有关。在较低掺杂浓度时，等离子频率远远小于 LO；只有在重掺杂的情况下，等离子频率才会接近 LO 频率。 @@ -38,11 +45,11 @@ - LO 与自由电子和离子杂质的耦合为 Fröhlich-like interaction。 - 在低浓度下，LO 阻尼随掺杂浓度近似线性增加（见引用）；但在高浓度下，激子频率与 LO 相近，必须使用考虑了 LO 与激子耦合的介电函数。 -== 疑问 +=== 疑问 在这篇文章之后，大家使用的都是这个新的模型，还是依然使用旧的？ -== 引用 +=== 引用 - 4: 由于较大的载流子阻尼和有效质量；n-6H-SiC 的 LOPC 随载流子浓度而产生的偏移很小。 - 16: 在 GaAs 中，LOPC 峰的偏移与掺杂浓度关系很大。 @@ -52,7 +59,7 @@ - 29-35: 对最复杂的介电函数的研究，以及使用它来拟合一些红外结果。 - 37-38: 不同载流子浓度下的 LO 阻尼不同（在低掺杂浓度下，近似线性增加），可以认为是 LO 与自由载流子和离子杂质耦合得到的。 -= Depth Profiling of Ion-Implanted 4H-SiC Using Confocal Raman Spectroscopy +== Depth Profiling of Ion-Implanted 4H-SiC Using Confocal Raman Spectroscopy 这篇文章的样品是衬底、大约几微米厚的外延层（n型）、大约几百纳米厚的离子注入层（p型）。 它使用拉曼来测试这些层的厚度。 @@ -61,11 +68,11 @@ 这篇文章发现，不同剂量的离子注入会导致衬底的 LOPC 移动。它解释为光子两次通过离子注入层，受到了注入层的影响而导致的。 -== 基础知识（无引用） +=== 基础知识（无引用） - 拉曼在横向的空间分辨率主要取决于斑点大小，进一步取决于激光波长和物镜的数值孔径（NA）。共聚焦针孔则影响纵向分辨率。 -== 引用 +=== 引用 - 3-11: 测试 SiC 电学性质的几个方法，包括霍尔效应、SIMS 等，还有很多别的方法。它们都是有损或需要准备样品的。 这些内容在 introduction 的第一段中有详细介绍。 @@ -74,18 +81,18 @@ - 12,19: 其它影响拉曼分辨率的因素（折射率、吸收率，等）。 - 26-30: 几个其它的，掺杂影响 LOPC 频率的文章。 -= 拉曼面扫描表征氮掺杂 6H-SiC 晶体多型分布 +== 拉曼面扫描表征氮掺杂 6H-SiC 晶体多型分布 用拉曼表征了整个晶锭的多型分布。 -== 引用 +=== 引用 - 1-2: SiC 的优良性质、应用。相应地，第一段开头有一些介绍可以用。 - 5-9: 使用拉曼表征 SiC 表面的组成、应变、载流子。 - 13: 较低的温度有利于 15R 的形成。 - 5,9,14-15: 载流子越少，LOPC 越高、越窄、越靠左。 -= Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC: Identification of stacking sequence of 10H-SiC +== Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC: Identification of stacking sequence of 10H-SiC 使用拉曼确定 10H 的结构。 @@ -95,11 +102,11 @@ 它将原子的位移表述为“atomic displacement pattern”， -== 基础知识（无引用） +=== 基础知识（无引用） - SiC 结构可以用 X 射线衍射、电子显微镜或拉曼来确定。 -== 引用 +=== 引用 - 1-4,7-8: 拉曼确定堆叠顺序。 - 5-6: 拉曼获得 SiC 的各向异性信息。 @@ -108,18 +115,18 @@ - 25: FTA 模式的分裂大小在实验上可以测试得到。 - 26: 最强的 FTO 和 FTA 模式的 reduced wavevector 与六方的比例有关。 -= Single-defect phonons imaged by electron microscopy +== Single-defect phonons imaged by electron microscopy 这篇文章是从热传导、声子缺陷相互作用的角度开始讲的，而不是着眼于 SiC。 -== 引用 +=== 引用 - 1-8: 缺陷通过散射声子、改变色散，来改变热传导。 - 3-4,9-10: 使用不同实验方法（包括时域热流，3-omega 方法，瞬态光栅光谱）研究声子与缺陷的相互作用。 - 1,5: 使用玻尔兹曼输运方程来研究声子与缺陷的相互作用，缺陷被视为微扰（影响原子质量和原子之间的力常数）。 - 4,6,11-13: 使用格林函数法， -= n-SiC 拉曼散射光谱的温度特性 +== n-SiC 拉曼散射光谱的温度特性 这篇文章研究了在 4H 和 6H 中，温度对以下四种模式的影响：本征，LOPC，N 特征峰，二次拉曼。结论分别为： - 对于本征，随着温度升高，大多数红移，光学模式更明显。这是由于声子数增加，非简谐效应导致的。 @@ -127,11 +134,11 @@ - 对于 N 特征峰，随着温度升高，峰位不变，但展宽、强度减弱。 - 对于二次拉曼，随着温度升高，峰位红移，强度下降。 -== 基础知识（无引用） +=== 基础知识（无引用） - 他认为，温度导致的拉曼位移有两个原因，一个是晶格常数增加，一个是光学声子与其它声子之间的非简谐耦合；但并没有给出来源。 -== 引用 +=== 引用 - 6-9: 其它材料（AlN InN GaN GaSb）的拉曼光谱随温度的变化。 - 11: 掺 N 会明显影响光学模但对声学模的影响较小。 @@ -141,7 +148,7 @@ - 10: 拉曼中，线宽与寿命成反比。 - 19: 基态能谷分裂能够促进电离。 -= Raman analysis of defects in n-type 4H-SiC +== Raman analysis of defects in n-type 4H-SiC 这篇文章在不同的三个位置（没有缺陷的地方和两个缺陷附近）测试了拉曼光谱。 它指出了五个 N 峰。 @@ -149,7 +156,7 @@ 此外，还测试了二阶拉曼，发现六边形缺陷会影响两个二阶拉曼的峰（来源于影响了 M 点和 K 点的声子）， 但如何影响的还未知。 -== 引用 +=== 引用 - 8: 6H-SiC 的 LOPC。 - 9-11: N 峰。尤其是 11。 diff --git a/第二个论文/新分类/待分类/Raman microscopy developments and applications.okular b/第二个论文/新分类/待分类/Raman microscopy developments and applications.okular new file mode 100644 index 0000000..e5d42e6 --- /dev/null +++ b/第二个论文/新分类/待分类/Raman microscopy developments and applications.okular @@ -0,0 +1,3 @@ +version https://git-lfs.github.com/spec/v1 +oid sha256:7f843d22f4c6f1df407a863d9d15ef8d493aa9310489ef66a6dda21b737969ad +size 10805607