add book

第二个论文/README.md

@@ -27,7 +27,7 @@
 
 # Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy
 
-这是一个 review。主要包括三个方面的内容：
+主要包括三个方面的内容：
 * CVD 长 3C，用拉曼看多型（主要是其中的 6H）。
 * N 和 P 掺杂的 6H、4H 和 15 R，用拉曼看掺杂能级。
   * 看到的峰并不直接是激活能，而是不同位点之间能量的差（与自旋谷极化有关）。
@@ -42,3 +42,14 @@
 
 应该是第一个拟合 N 掺杂的 3C-SiC 的 LOPC 峰的文章。
 它认为，应该可以观察到一个展宽的上峰，但这个上峰在文章中并没有被观察到。
+
+# Dependence of surface plasmon-phonon-polariton in 4H-SiC on free carrier concentration
+
+当入射光在 LO 和 TO 之间的禁带时，吸收很小，同时会产生表面的声子极化模（SPhP）。
+这个模式的寿命比表面等离激元要长，可以用来延长表面电磁波的寿命。
+此外，在表面上，不仅存在 LOPC 模，等离激元也可以与 TO 耦合。
+
+这篇文章讨论的是，声子与等离激元耦合后，再在表面或内部与电磁波耦合，所形成的模式（PPhP）的寿命。
+使用 4H-SiC 来研究，但结论应该是普适的。
+通过红外的反射谱（包括实部和虚部）和各种计算来估计，结论是掺杂会降低 PPhP 的寿命（但不一定降低它的移动距离，因为速度会增加）。
+引用了几个拉曼的文章，证明他的结果与拉曼中 LOPC 峰形状估计得到的寿命一致。