diff --git a/第二个论文/新分类/README.typ b/第二个论文/新分类/README.typ
index cc7017a..216440b 100644
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@@ -1,3 +1,5 @@
+#set text(font: ("Times New Roman", "Source Han Serif SC"))
+
 = 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究
 
 - 这是一个毕业论文。
@@ -116,3 +118,25 @@
 - 3-4,9-10: 使用不同实验方法（包括时域热流，3-omega 方法，瞬态光栅光谱）研究声子与缺陷的相互作用。
 - 1,5: 使用玻尔兹曼输运方程来研究声子与缺陷的相互作用，缺陷被视为微扰（影响原子质量和原子之间的力常数）。
 - 4,6,11-13: 使用格林函数法，
+
+= n-SiC 拉曼散射光谱的温度特性
+
+这篇文章研究了在 4H 和 6H 中，温度对以下四种模式的影响：本征，LOPC，N 特征峰，二次拉曼。结论分别为：
+- 对于本征，随着温度升高，大多数红移，光学模式更明显。这是由于声子数增加，非简谐效应导致的。
+- 对于 LOPC，随着温度升高，峰位先蓝移再红移。这是由于先主要受到载流子数先快速增加的影响（蓝移），再主要受到声子数增加的影响（红移）。
+- 对于 N 特征峰，随着温度升高，峰位不变，但展宽、强度减弱。
+- 对于二次拉曼，随着温度升高，峰位红移，强度下降。
+
+== 基础知识（无引用）
+
+- 他认为，温度导致的拉曼位移有两个原因，一个是晶格常数增加，一个是光学声子与其它声子之间的非简谐耦合；但并没有给出来源。
+
+== 引用
+
+- 6-9: 其它材料（AlN InN GaN GaSb）的拉曼光谱随温度的变化。
+- 11: 掺 N 会明显影响光学模但对声学模的影响较小。
+- 8: 非简谐效应是导致拉曼峰展宽的主要原因。
+- 5,17-18: N 掺杂导致 4H 中出现新的峰，包括 395 附近的局域模，526 572 与 k 位施主基态的轨道能谷分裂有关，635 附近与深能级缺陷有关。
+  6H 中也会出现一些峰。
+- 10: 拉曼中，线宽与寿命成反比。
+- 19: 基态能谷分裂能够促进电离。
diff --git a/第二个论文/新分类/已分类/n-SiC拉曼散射光谱的温度特性.pdf b/第二个论文/新分类/已分类/n-SiC拉曼散射光谱的温度特性.pdf
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