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--- a/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md	
+++ b/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md	
@@ -66,10 +66,16 @@ EPR 实验在室温的暗室中进行。
 这与实验中观察到的超精细结构不符。
 另外一方面，我们发现这个能量不是最低，因此是一个亚稳态。
 
+# 第七段
+
 我们进一步研究了模型一。
 我们认为，通过 ENDOR 观测到的 Si 在 1.3-2.2 MHz 的超精细结构可以由单个 Si 空位来解释而不需要引入 C 空位。
 我们研究了 Si 空位与至多 7.8 A 距离的 Si-29 和 C-13 之间的相互作用导致的超精细结构。
-我们发现了一些与实验数据一致的结果。
+具体的一些数据也与实验对得上。
+
+# 第八段
+
+
 
 
 # 剩余的问题