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+++ b/SiC/Characterizations on the doping of single-crystal silicon carbide.md	
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+# Characterizations on the doping of single-crystal silicon carbide
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+## Abstract
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+本文介绍了 elemental analysis，electrical 和 optical 方法。
+其中 elemental analysis 主要指 SIMS（Secondary Ion Mass Spectrometry）。
+electrical 方法包括 Hall effect 和 electrical scanning probe 等方法。
+optical 方法包括光学吸收、拉曼、PL 等方法。
+我们着重介绍分析载流子聚集分布的方法。
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+## Introduction
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+要制造半绝缘 SiC，需要掺杂 V。
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+SIMS 用来探测 SiC 中所有杂质的聚集情况，有很好的分辨率，同时探测受到的限制也很少。
+但 SIMS 的探测范围有限（微米级别的区域），不能用来探测整个晶片。
+同时，它也无法确定探测到的杂质是否有电活性。
+因此，大多情况下，更倾向于直接探测电学性质。
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+## Elemental analysis
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+SIMS 分为 Dynamic SIMS（D-SIMS） 和 Static SIMS 或者 time-of-flight SIMS（ToF-SIMS）。
+前者的一次离子电流密度更高，后者更低。
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+XPS（X-ray photoelectron spectroscopy）也可以做到类似的事情，但是它的灵敏度太低。
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+### Fundamental principle and applications of SIMS
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+TODO: SIMS 的具体原理，问一下zem
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+SIMS 用于探测表面时，可以探测几个原子层的厚度，一个像素大约 1-10 nm 大小。
+它也可以用于探测不同深度处的情况，称为 depth profile analysis mode。
+探测较深处时，探测的像素将会展宽；但也最多只能探测到微米级别的深度。
+通常来说，对于很厚的样品，需要切片后再分层探测。
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+###  Challenge and the solution
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+一次离子电流越大，探测的灵敏度越大，但分辨率会降低。
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+SIMS 是一种破坏性的测试方法，并且非常耗时。
+同时，它也只能测试元素是否存在，无法确定其电活性。
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+## Electrical methods
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