From 2a456eddce667a3a6d1c920219ef0c124c411e0f Mon Sep 17 00:00:00 2001
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Date: Sat, 7 Jun 2025 14:19:05 +0800
Subject: [PATCH]

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 第二个论文/新分类/README.typ                  | 24 +++++++++++++++++++
 ...ing of Ion-Implanted 4H–SiC Using Confocal Raman Spectroscopy.pdf |  0
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 - 29-35: 对最复杂的介电函数的研究，以及使用它来拟合一些红外结果。
 - 37-38: 不同载流子浓度下的 LO 阻尼不同（在低掺杂浓度下，近似线性增加），可以认为是 LO 与自由载流子和离子杂质耦合得到的。
 
+= Depth Profiling of Ion-Implanted 4H-SiC Using Confocal Raman Spectroscopy
+
+这篇文章的样品是衬底、大约几微米厚的外延层（n型）、大约几百纳米厚的离子注入层（p型）。
+它使用拉曼来测试这些层的厚度。
+
+在这篇文章中，blue shift 指峰向左移动。
+
+这篇文章发现，不同剂量的离子注入会导致衬底的 LOPC 移动。它解释为光子两次通过离子注入层，受到了注入层的影响而导致的。
+
+== 基础知识（无引用）
+
+- 拉曼在横向的空间分辨率主要取决于斑点大小，进一步取决于激光波长和物镜的数值孔径（NA）。共聚焦针孔则影响纵向分辨率。
+
+== 引用
+
+- 3-11: 测试 SiC 电学性质的几个方法，包括霍尔效应、SIMS 等，还有很多别的方法。它们都是有损或需要准备样品的。
+  这些内容在 introduction 的第一段中有详细介绍。
+- 12: 拉曼的优点，包括通过共聚焦来提高空间分辨率。
+- 2,13-17: 其它几个通过拉曼来测深度分布的文章。
+- 12,19: 其它影响拉曼分辨率的因素（折射率、吸收率，等）。
+- 26-30: 几个其它的，掺杂影响 LOPC 频率的文章。
+
+
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