11 lines
276 B
Markdown
11 lines
276 B
Markdown
|
# Abstract
|
||
|
|
|
||
|
|
4H-SiC 因为面内各向同性以及较小的声子散射，比较适合用于 MEMS 的声表面波器件。本文讨论了以下三个方面的内容：
|
||
|
|
|
||
|
|
* 4H-SiCOI 的使用和制备
|
||
|
|
* 4H-SiC 谐振腔的温度依赖性
|
||
|
|
* 4H-SiC MEMS 的制造
|
||
|
|
|
||
|
|
# INTRODUCTION
|
||
|
|
|