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# 4H-SiC厚膜外延关键技术研究和器件验证
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## 第四章 p 型 SiC 外延生长技术
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这里提到一个理论，掺入 Al 原子后，晶格发生畸变。
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为了释放这个应力，产生了位错。
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这里是否可以与位错的化学势与完美晶体中插入 Al 的化学势来解释？
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这个理论来自论文 Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC
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