# 4H-SiC厚膜外延关键技术研究和器件验证

## 第四章 p 型 SiC 外延生长技术

这里提到一个理论，掺入 Al 原子后，晶格发生畸变。
为了释放这个应力，产生了位错。
这里是否可以与位错的化学势与完美晶体中插入 Al 的化学势来解释？
这个理论来自论文 Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC
