chn/SiC-2nd-paper
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SiC-2nd-paper/TODO.md
chn 03fe929bd1
2025-06-28 13:41:42 +08:00

766 B
Raw Blame History

  • 文本
    • method
      • 几个外延片
        • 中文
        • 英文
        • 调整语言
      • 拉曼实验
        • 中文
        • 英文
        • 调整语言
      • 模型总述
      • 无缺陷和点缺陷的模型大小、结构
        • 中文
        • 英文
        • 填充数据和引用
      • 面缺陷的模型大小、结构
      • 第一性原理计算和声子计算的工具
        • 中文
        • 英文
        • 填充数据和引用
  • 实验
    • 实验
      • 测试不同片子的背面 LOPC，确认它们的掺杂是否相同
    • 拟合
      • 拟合最后一次正入射的结果，确定峰位移与掺杂等的关系
      • 拟合带 LOPC 的 LO
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