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  title: "4H-SiC中声子研究",
  author: "Haonan Chen",
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= 研究目的、背景

== 为什么选这个柿子捏（我们有什么优势）

- 拉曼实验：亲自实验，可以细致地进行一些非常规的实验。
- 原理：有基础，用群表示论来解释拉曼可见性/强弱。
- 第一性原理计算：有基础，声子能带反折叠/缺陷的性质。
- 前人的研究：坑还没有被填完。

== 研究目的（名义上，introduction）

- 4H-SiC 性能很好、器件应用广泛，因此需要开发原位的、非破坏性的表征技术。
- 拉曼主要体现声子的信息，并且早已经有应用，主要用来区分 SiC 的多型。
- 拉曼谱中有更多信息。有一些新的研究，但他们还有不足。

== 论文标题（暂定）

通过拉曼散射研究4H-SiC中声子与载流子和缺陷的影响

= 研究方法与约定

== 坐标轴定义

对于拉曼张量，4H-SiC在面内并不总是各向同性的。因此需要仔细定义坐标轴。

- 对于由原子结构决定的一阶、二阶张量，面内没有各向异性；
  但拉曼张量还与原子振动方向有关（三阶张量），原子在面内振动时，拉曼张量在面内就可能是各向异性的。
- 我们的定义与大部分文献一致。

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== 样品

- 掺Al外延片，共 5 个：
  - 前四个外延片的厚度为 1 微米，第五个外延片的厚度为 2 微米。
  - 外延层的 Al 掺杂浓度分别为 0.1 3.8 5.1 6.4 10 E18 cm#super[-3]。
  - 生长时 Si/C 比分别为 0.7 1.2 1.6 2.4 2.0。

== 拉曼实验中的激光入射

- 我们考虑三个入射方向：正入射、略入射和肩入射。
- 由于斜切和汇聚角，正入射并不完全是“正”的。
- 由于SiC的折射率较大，导致略入射中，起作用的散射角只有大约 25#sym.degree。
- 由于对焦困难，略入射的情况下，光谱精细度远远不如其它两种情况（尽管已将积分时间大大延长）。

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