paper/method/wafer.typ

@@ -14,3 +14,13 @@ The Al doping concentrations, determined by SIMS,
   were 0.1, 3.8, 5.1, 6.4, and 10 #sym.times 10 cm#super[-3] for W#sub[1]–W#sub[5], respectively.
 W#sub[1]–W#sub[4] had an epitaxial layer thickness of 1 μm, while W#sub[5] had a thickness of 2 μm.
 The Si/C ratios during growth were 0.7, 1.2, 1.6, 2.4, and 2.0 for the five wafers, respectively.
+
+坐标轴的定义
+
+坐标轴的定义需要仔细考量才能使计算与实验结果对应。
+4H-SiC 存在三个互相之间夹角为 60 度的镜面（mirror plane），同时还存在三个互相之间夹角为 60 度的滑移面（glide plane）。
+我们定义某一个滑移面与基平面的交线为 x 轴，与此滑移面相垂直的镜面与基平面的交线为 y 轴。
+同时，我们定义沿 x 方向为晶格的 a 轴（即 a 轴在一个滑移面内）。
+此定义与实验中常用的定义一致，包括晶圆的切边沿 xxx 方向（即 xx 轴）、台阶流外延过程中台阶生长的方向为 xxx （即 xx 轴），台阶边沿 沿 y 方向（即 yy 轴）。
+此定义也与 material projects 数据库以及一些文献中的定义一致。
+然而，此定义与其它一些文献中的定义不同，尤其是与群论中的定义不一致；本文中引用结论时，会将它们的定义转换为本文的定义。

paper/todo.typ

@@ -11,7 +11,7 @@
       - [x] 英文
       - [x] 调整语言
     - [ ] 坐标轴定义
-      - [ ] 中文，30
+      - [x] 中文，20
     - [/] 拉曼实验
       - [x] 仪器设置
         - [x] 中文