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@@ -84,12 +84,20 @@ Si-C 键为极性键，Si 可以视为正电荷中心、C 为负电荷中心；
 
 #### 无极性或弱极性声子
 
+这些声子的特征向量（各个原子的振幅、方向）、频率与入射光的方向基本无关。我们将它们的信息列于下表。
 
+|      表示      | 频率（THz） | 波数（$\mathrm{cm^{-1}}$）计算值 | 波数（$\mathrm{cm^{-1}}$）实验值 | 拉曼强度（xx/xy/xz/zz） |
+| :------------: | :---------: | :------------------------------: | :------------------------------: | :---------------------: |
+| $\mathrm{E_2}$ |    5.72     |              190.51              |              195.5               |      0.17/0.17/0/0      |
+| $\mathrm{E_2}$ |    5.94     |              197.84              |              203.3               |      1.13/1.13/0/0      |
+| $\mathrm{E_1}$ |    7.72     |              257.35              |              265.7               |      0/0/2.43/2.43      |
+| $\mathrm{A_1}$ |    17.76    |              591.90              |              609.5               |      2.83/0/0/1.79      |
+| $\mathrm{E_2}$ |    22.69    |              756.25              |              776.3               |     88.70/88.54/0/0     |
+| $\mathrm{A_1}$ |    24.39    |              812.87              |               839                |      0.01/0/0/1.78      |
 
+我们可以看到，计算与实验的误差大约为2-3%。因此，在之后的内容中，我们将不比较
 
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-  * 计算了**无缺陷/掺杂 4H-SiC 声子**信息，并与实验对照。本小节，我们先不管缺陷、掺杂、载流子等等，只考虑完美的 4H-SiC 中原子如何振动、对应的拉曼光谱长什么样子。
+* 计算了**无缺陷/掺杂 4H-SiC 声子**信息，并与实验对照。本小节，我们先不管缺陷、掺杂、载流子等等，只考虑完美的 4H-SiC 中原子如何振动、对应的拉曼光谱长什么样子。
   * 这一部分相当于做了这三件事：
     * 整合梳理已有文献中的信息；
     * 第一性原理计算并与实验对照，讨论它们在哪些方面能对得上、哪些方面对不上，明确每个峰是哪个模式贡献的，并将其振动模式可视化；
@@ -116,5 +124,7 @@ Si-C 键为极性键，Si 可以视为正电荷中心、C 为负电荷中心；
       * 六个峰、五个偏振方向，实验、计算各 30 个数值，数值比较多。
       * 实验时无法做到绝对的沿着某个方向偏振（总是会有一点倾斜），导致某些理论上在某个偏振下看不到的峰，在实验中实际上能看到。
     * 我的计划是把倾斜的角度也加入计算，但可能要尝试几次才能得到比较好的结果（因为不知道具体是倾斜10度还是20度还是5度）。
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   * 声子与载流子的相互作用，使用 LOPC 估计 n 和 p 掺杂的浓度。（？）
   * 计算了缺陷和掺杂的振动模式，解释了光谱上的一些小峰的来源（来自于掺杂）。