diff --git a/paper/result/perfect/default.typ b/paper/result/perfect/default.typ
index cf9f625..526a097 100644
--- a/paper/result/perfect/default.typ
+++ b/paper/result/perfect/default.typ
@@ -1,9 +1,27 @@
 == Phonons in Perfect 4H-SiC
 
-总共有 21 个声子模式。我们把它分成 18 个极性很小的和 3 个极性很强的两类。
+不同方向入射光的声子位置不同。
+
+声子的性质与它们在倒空间中的位置（即波矢）有关，而参与拉曼散射的声子波矢则由激光波长和拉曼入射配置（正入射、掠入射、边入射）决定。
+在我们的实验（绿光）中，参与拉曼散射的声子都位于 Gamma 点附近（距离仅 xxx 埃），而与 Gamma 点的相对方向则根据入射配置而定。
+对于正入射，声子大致位于 Gamma-A 线上；对于边入射，声子大致位于 Gamma-K 线上。对于掠入射，声子不位于任何高对称线上。
+
+Properties of phonons depend on their positions in reciprocal space (i.e., wavevectors),
+  and the wavevectors of phonons participating in a Raman scattering process
+  are determined by the Raman experiment configuration.
+In our experiments (back-scattering with 532 nm laser light),
+  phonons involved in Raman scattering are all located near the #sym.Gamma point
+    (about $5.13 times 10^(-3) angstrom$ from the #sym.Gamma point),
+  and their relative directions from the #sym.Gamma point depend on the incidence configurations.
+For normal and edge incidence,
+  phonons participating in Raman process are approximately located along the #sym.Gamma–A and #sym.Gamma–K lines,
+  respectively, as illustrated in @figure-discont.
+For grazing incidence, phonons are not located on any high-symmetry lines, and not shown in the figure.
+
+#include "figure-discont.typ"
+
+每个点都有 21 个声子模式。我们把它分成 18 个极性很小的和 3 个极性很强的两类。
 
-对应于不同拉曼入射配置（正入射、掠入射、边入射）的声子位于倒空间中的不同位置。
-它们都位于 Gamma 点附近，与 Gamma 点的距离由入射光波长决定，而与 Gamma 点的相对位置则由入射方向决定。
 对于每一个 Gamma 附近的点，都有 21 个声子模式（简并模式按简并数计）。
 我们将这 21 个声子模式分为两类：18 个极性可以忽略的声子模式（即极性为零或非常弱的声子），在拉曼散射过程中它们的电极性造成的效应可以忽略；
   和 3 个强极性声子模式，在拉曼光谱中电极性效应是可观测的。
@@ -24,6 +42,12 @@ These modes can be categorized into two groups:
 这个分类是有意义的。从微观上讲，它也和原子的振动方向有关。
 
 这个分类基于这样的事实：
+  在 4H-SiC 的原胞中，四个 Si 原子携带类似的正的 Born 有效电荷（BEC），
+  而四个 C 原子携带类似的负的 BEC（见 @table-bec）。
+在 18 个弱极性声子中，
+  两个 Si 原子的振动方向大致与另外两个 Si 原子相反，
+  C 原子也是如此，
+  导致宏观极性的抵消。
 
 This classification is based on the fact that
   the four Si atoms in the primitive cell of 4H-SiC carry similar positive Born effective charges (BECs),
diff --git a/paper/result/perfect/non-polar/figure-discont.typ b/paper/result/perfect/figure-discont.typ
similarity index 100%
rename from paper/result/perfect/non-polar/figure-discont.typ
rename to paper/result/perfect/figure-discont.typ
diff --git a/paper/result/perfect/non-polar/default.typ b/paper/result/perfect/non-polar/default.typ
index f092cb3..25475d2 100644
--- a/paper/result/perfect/non-polar/default.typ
+++ b/paper/result/perfect/non-polar/default.typ
@@ -16,8 +16,6 @@ This approximation is widely adopted (cite) and justified by the fact that,
 Therefore, negligible-polar phonons involved in Raman processes
     have nearly indistinguishable properties from those at the #sym.Gamma point.
 
-#include "figure-discont.typ"
-
 gamma 点处 18 个声子的表示。它们的拉曼张量的形状可以确定，但大小无法确定。
 
 // Representation of these 18 phonons, and the shape of their Raman tensors could be determined in advance.)
diff --git a/paper/todo.typ b/paper/todo.typ
index 22003d4..8314e9a 100644
--- a/paper/todo.typ
+++ b/paper/todo.typ
@@ -31,7 +31,13 @@
       - [ ] 英文
       - [ ] 填充数据和引用
   - [/] results
-    - [x] 总述
+    - [/] 总述
+      - [ ] 声子位置与实验对应
+        - [x] 中文
+        - [x] 英文
+        - [ ] 调整语言
+        - [ ] 调整画图
+      - [ ] 每个位置有 21 个模式
     - [/] 无缺陷
       - [ ] 总述
         - [x] Gamma 附近有 21 个模式，我们将它们分为强极性和弱极性