== Raman experiments setup

拉曼设备的型号。激光的波长，背散射。共焦针孔。

拉曼设备的型号是 LabRAM HR Evolution，使用背散射。
大部分实验中，我们使用 532 nm 的激光，少部分实验中使用 325 nm 的激光以观测紫外拉曼。

All Raman experiments were conducted using a LabRAM HR Evolution system in a back-scattering configuration,
  where the scattered light was collected in the direction opposite to the incident laser.
A 532 nm laser was primarily used as the excitation source,
  while a 325 nm laser was employed for only ultraviolet Raman measurements.

三个入射方向配置

有三个不同的入射配置，包括正入射、掠入射、边入射。
考虑到 4 度斜切和 4H-SiC 几乎各向同性的折射率（2.73） @shaffer_refractive_1971 ，掠入射的入射角大约为 25 度。
在正散射过程中，我们使用 100 微米的共焦针孔，以尽可能提高 z 方向的分辨率 @song_depth_2020；其它情况使用常用的 200 微米针孔以提高信噪比。
此外，在正入射和边入射时，拉曼散射信号较强，因此我们使用较短的积分时间（约 60 秒），
  而在掠入射时，拉曼信号较弱，因此使用较长的积分时间（约 300 秒）。

Three distinct incidence configurations were utilized, as illustrated in @figure-incidence:
  (i) normal incidence, where the laser incident perpendicularly to the epitaxial surface;
  (ii) grazing incidence, where the laser incident nearly parallelly to the epitaxial surface;
  and (iii) edge incidence, where the laser is incident at the wafer edge and perpendicularly to the edge surface.
Considering the 4° offcut angle and the nearly isotropic refractive index of 2.73 for 4H-SiC @shaffer_refractive_1971,
  the refracted laser in grazing incidence forms an angle of approximately 25° with the c axis.
A 100 μm confocal pinhole was used for normal incidence to enhance axial (z-direction) resolution @song_depth_2020,
  while a 200 μm pinhole was employed for the other configurations to improve the signal-to-noise ratio.
The integration time was set to 60 seconds for normal and edge incidence,
  while it was extended to 300 seconds for grazing incidence due to the weaker Raman signal.

// 对应于入射配置的位置，计算为 1.0263158 E-3 A-1

偏振的配置？

#include "figure-incidence.typ"

使用以下公式来从实验结果估计拉曼张量：

$
  abs(S_i) = C I_i (nu_i (1-exp(-(h nu_i)/(k T))))/((nu - nu_i)^4)
$

其中 $S_i$ 是对应于入射方向和偏振的拉曼张量的组分，$I_i$ 是散射光强度（对应于峰积分），$nu_i$ 是声子频率，$nu$ 是激光的频率，$T$ 是样品温度。
$C$ 是一个包含入射光强度在内的常数，在本文中使用 4H-SiC 正入射 zxxz 的特征峰来校准 $C$ 的值。

在本文中，涉及到对 A1 E1 E2 模式的拉曼张量的估计。
在本文中，对于 E2 和 A1 在面内的拉曼张量，我们使用正入射 zyyz来估计；
对于 E1 的拉曼张量，我们使用侧入射 xyzx 来估计；
对于A1在面外的拉曼张量，我们使用侧入射 xzzx 来估计。
使用4H-SiC的特征峰来校准 K 值。

todo
将拟合结果填充到表格中
关于正入射和侧入射的对比：拟合得到结果、画曲线图、画箱图
极性模式对比。有两个方面需要对比。一个是，正、侧入射的不同，说明分裂的大小与我们的计算是否一致，LOPC是否会在其它偏振下出现；一个是，对正入射时E1的出现作解释。

散射光路对不同偏振的响应不同，因此需要乘以一个系数。

探索：为什么对于A1的拟合，结果会差两倍？