=== Strong-polar Phonons

沿着不同方向入射的话，强声子的模式是不同的。

// 在半导体的极性声子模式中，原子间存在长距离的库伦相互作用，导致散射谱在 Gamma 附近不再连续（引用），如图中的彩色线所示。
// 这导致不同方向的入射/散射光的声子模式不同。
// 具体来说，当入射光/散射光沿着 z 方向时，起作用的是 A-Gamma 线上的声子模式（图中的左半边的橘线），它们适用于群 C6v。
// 这时会有一个 E1 模式（TO，振动方向在面内）和一个 A1 模式（LO，沿 z 振动）。
// 而当沿着 y 方向入射时，起作用的是 Gamma-K 线上的声子模式（图中的右半边的橘线），它们不再适用于群 C6v，而只适用于群 C2v；
// 它会分裂成沿x、y、z 方向的三个声子模式（图中的右半边的蓝线），它们分别对应于群 C2v 的 A1、B1 和 B2 表示 TODO: 确认这个几个表示的名字。
// 若考虑到到入射光不是严格沿着 z 方向，而是有一个小的角度（例如 10 度），则此时有一个声子模式沿着 x 方向，另外两个声子模式则为 y-z 两个方向的混合。
// (没有在图上表示)

半导体中的强极性声子模式强烈地依赖于入射光的方向，
  这是由于半导体中原子之间的长程库伦相互作用所致，
  表现在散射光谱中，Gamma点附近不连续（见@figure-discont）。
具体来说，当入射光沿着 z 方向时，起作用的是 A-Gamma 线上的声子模式（图中的上半部分的橘线），它们适用于群 C6v。
这时会有一个 TO 模式（C6v 中的 E1）和一个 LO 模式（C6v 中的 A1）。
而当沿着 y 方向入射时，起作用的是 Gamma-K 线上的声子模式（图中下半部分的橘线），它们不再适用于群 C6v，而只适用于群 C2v；
这时将会出现三个模式，包括一个LO（沿y方向振动，对应C2v中的A1）和两个TO模式（根据振动方向，命名为B2-x和B2-y，对应C2v中的B1和B2）。
当入射光不是严格沿着坐标轴方向，而是在xOy面内呈现一定的夹角时（掠入射，以及考虑了斜切的正入射），则此时有一个声子模式沿着 x 方向，另外两个声子模式则为 y-z 两个方向的混合。

Strong-polar phonon modes caused by different incident light directions are different,
  due to long-range Coulomb interactions between atoms in semiconductors,
  showing discontinuity in the scattering spectra near the #sym.Gamma point (see @figure-discont).
For incident light propagating along the z direction (phonon modes on the A-#sym.Gamma line),
  symmetry of C#sub[6v] point group applies and leading to two modes (two peeks in Raman spectra),
  including an E#sub[1] mode (pink line in @figure-discont, vibration in-plane)
    and an A#sub[1] mode (green line in @figure-discont, vibration along z-direction).
When the light is incident along other directions, symmetry in plane was broken and C#sub[6v] symmetry no longer holds,
  and there will be three phonon modes in theory.
For example, when the light is incident along the y direction (phonon modes on the #{sym.Gamma}-K line),
  symmetry of C#sub[2v] applies and three modes exist in dispersion curves,
  including an A#sub[1] mode (green line in @figure-discont, vibration along z direction),
  a B#sub[2] mode (blue line in @figure-discont, vibration along x direction),
  and a B#sub[1] mode (red line in @figure-discont, vibration in y direction).
When the light is incident along a direction between z and y,
  three phonon modes will exist, but vibration in the mixed direction.

将理论/计算结果与实验对比。

我们将计算与实验结果进行了对比。衬底中的LO峰与plasmon耦合形成LOPC峰，因此与计算结果大不相同。
对于TO峰，在正入射中，它与E2-3模式的距离为xxx；在掠入射中，它与E2-3模式的距离为xxx。

Many Raman experiments on 4H-SiC with incident light along the z direction have observed two peaks.
However, no experiments have reported three peaks with incident light along other directions.
In our experiment, we found the third, and it satisfied properties we expected.
In our experiments, we found that the third peak only appears when focusing inside the sample.

E1 的情况。

注意到在正入射中，理论上不能被观察到的E#sub[1]-1模式也被观察到了。
与弱极性的 E1-1 模式类似，我们也认为这是由于入射光并非完全沿 z 轴入射所致。
但与弱极性 E1-1 模式不同的是，强极性 E1-1 模式在 xy 的偏振下并没有更强反而更弱。
这是因为E1这时不再是严格的E1模式，而是分裂成了两个相近的模式。
我们的计算表明，在2度的入射角下，E1分裂的两个模式非常接近。
其中某个模式会怎样怎样，另一个会怎样怎样。

// 我们预测，随着入射方向偏移，LO 峰会向着高频方向移动。此外，我们也注意到 LO 也会与载流子产生影响。
// 在 n 型半导体中，LOPC 模式将代替 LO 模式；在 p 型半导体中，LO 模式仍然单独存在，但它的半高宽会受到载流子浓度的影响。

#include "table-pol.typ"
